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格芯宣布斥资5.75亿美元在美国纽约州建设先进封装和光子学中心

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2025-1-24 23:38:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
格芯宣布斥资5.75亿美元在美国纽约州建设先进封装和光子学中心

                                                                                                                                                                                                                                                                 **格芯宣布在美国兴建先进封装和光子学中心**格芯 GlobalFoundries 于美国当地时间 17 日宣布,将在其位于美国纽约州马耳他的生产基地内部兴建一个先进封装和光子学中心。该中心的初期投资规模为 5.75 亿美元,未来 10 年还将追加投资 1.86 亿美元。美国联邦政府将为此提供 7500 万美元的《CHIPS》法案直接资金,纽约州也将补充 2000 万美元支持。


格芯表示,新的先进封装和光子学中心将提供差异化硅光子学平台的先进封装、组装和测试,为敏感行业提供可信赖的全流程交钥匙后端解决方案,并扩大 3D 和异构集成封测的生产能力。
该中心的建设将有助于格芯提升其在先进封装和光子学领域的技术能力和生产能力,满足不断增长的市场需求。同时,这也将为美国本土提供更多的就业机会和技术创新机会,促进美国半导体产业的发展。
格芯是全球领先的半导体制造公司之一,专注于为客户提供高性能、低功耗的半导体解决方案。此次在马耳他兴建先进封装和光子学中心,是格芯在技术创新和产业布局方面的重要举措,将进一步巩固其在全球半导体市场的地位。
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